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品类: IGBT晶体管描述: EasyPIM MODUL MIT海沟/ Feldstopp IGBT3 UND发射极控制二极管3 UND NTC EasyPIM Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTC42031-9¥378.269510-49¥368.401650-99¥360.8362100-199¥358.2048200-499¥356.2312500-999¥353.59981000-1999¥351.9551≥2000¥350.3105
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块,Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗,用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块,如 ECONOPACK 封装,1200V 时带集电极开路发射器电压;PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块,其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用,例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块,Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。22341-9¥711.519610-49¥686.554050-99¥683.4333100-149¥680.3126150-249¥675.3195250-499¥670.9505500-999¥666.5815≥1000¥661.5884
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON FF900R12IE4 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 900 A, 1.75 V, 5.1 kW, 1.2 kV, Module57391-9¥3681.920010-24¥3648.448025-49¥3631.712050-99¥3614.9760100-149¥3598.2400150-249¥3581.5040250-499¥3564.7680≥500¥3548.0320
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块,Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗,用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块,如 ECONOPACK 封装,1200V 时带集电极开路发射器电压;PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块,其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用,例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块,Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。72661-9¥1268.663010-24¥1257.129725-49¥1251.363150-99¥1245.5964100-149¥1239.8298150-249¥1234.0631250-499¥1228.2965≥500¥1222.5298
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON FF300R12KT4 晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 450 A, 1.75 V, 1.6 kW, 1.2 kV, Module49581-9¥553.242010-49¥538.809650-99¥527.7448100-199¥523.8961200-499¥521.0096500-999¥517.16101000-1999¥514.7556≥2000¥512.3502
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块,Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗,用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块,如 ECONOPACK 封装,1200V 时带集电极开路发射器电压;PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块,其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用,例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块,Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。48711-9¥703.482610-49¥678.799050-99¥675.7136100-149¥672.6281150-249¥667.6914250-499¥663.3718500-999¥659.0521≥1000¥654.1154
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON FF200R12KT4 晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 320 A, 1.75 V, 1.1 kW, 1.2 kV, Module96041-9¥524.572510-49¥510.888050-99¥500.3966100-199¥496.7474200-499¥494.0105500-999¥490.36131000-1999¥488.0805≥2000¥485.7998
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品类: MOS管描述: QFN N+P 200V13661-9¥46.018410-99¥43.3780100-249¥41.4166250-499¥41.1148500-999¥40.81301000-2499¥40.47362500-4999¥40.1718≥5000¥39.9832
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品类: 双极性晶体管描述: NPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR22211-9¥430.629010-49¥419.395250-99¥410.7826100-199¥407.7869200-499¥405.5402500-999¥402.54451000-1999¥400.6722≥2000¥398.7999
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品类: 双极性晶体管描述: NPN开关晶体管硅 NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR36061-9¥169.084510-49¥164.673650-99¥161.2919100-199¥160.1157200-499¥159.2335500-999¥158.05731000-1999¥157.3221≥2000¥156.5870
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品类: 功率二极管描述: Diode Switching 200V 20A 2Pin DO-497331-9¥3699.663010-24¥3666.029725-49¥3649.213150-99¥3632.3964100-149¥3615.5798150-249¥3598.7631250-499¥3581.9465≥500¥3565.1298
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品类: IGBT晶体管描述: 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 75 A, 1.85 V, 385 W, 1.2 kV, Module19801-9¥729.508810-49¥703.912050-99¥700.7124100-149¥697.5128150-249¥692.3934250-499¥687.9140500-999¥683.4346≥1000¥678.3152
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品类: 双极性晶体管描述: NPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR12741-9¥498.410010-49¥485.408050-99¥475.4398100-199¥471.9726200-499¥469.3722500-999¥465.90501000-1999¥463.7380≥2000¥461.5710
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品类: MOS管描述: 4A,1500V,N沟道MOSFET49231-9¥77.544510-99¥74.1730100-249¥73.5661250-499¥73.0941500-999¥72.35241000-2499¥72.01522500-4999¥71.5432≥5000¥71.1387
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品类: 双极性晶体管描述: NPN 80V 5A82131-9¥3171.817010-24¥3142.982325-49¥3128.565050-99¥3114.1476100-149¥3099.7303150-249¥3085.3129250-499¥3070.8956≥500¥3056.4782
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品类: 齐纳二极管描述: 硅1瓦齐纳二极管 SILICON 1 WATT ZENER DIODES89001-9¥155.606510-49¥151.547250-99¥148.4351100-199¥147.3526200-499¥146.5407500-999¥145.45831000-1999¥144.7817≥2000¥144.1052
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品类: 齐纳二极管描述: Diode Zener Single 22V 5% 0.5W(1/2W) 2Pin B-MELF31241-9¥145.210510-49¥141.422450-99¥138.5182100-199¥137.5080200-499¥136.7504500-999¥135.74031000-1999¥135.1089≥2000¥134.4776
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品类: 齐纳二极管描述: 10瓦齐纳二极管 10 WATT ZENER DIODES18701-9¥2558.061010-24¥2534.805925-49¥2523.178450-99¥2511.5508100-149¥2499.9233150-249¥2488.2957250-499¥2476.6682≥500¥2465.0406
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品类: 齐纳二极管描述: 10瓦齐纳二极管 10 WATT ZENER DIODES35571-9¥2906.772010-24¥2880.346825-49¥2867.134250-99¥2853.9216100-149¥2840.7090150-249¥2827.4964250-499¥2814.2838≥500¥2801.0712
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品类: IGBT晶体管描述: Infineon FS100R17PE4BOSA1 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 100 A, Vce=1700 V, 20引脚 ECONO4封装34601-9¥1262.547010-24¥1251.069325-49¥1245.330550-99¥1239.5916100-149¥1233.8528150-249¥1228.1139250-499¥1222.3751≥500¥1216.6362
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.2kA 4850000mW 10Pin Tray784710-99¥8.7120100-499¥8.2764500-999¥7.98601000-1999¥7.97152000-4999¥7.91345000-7499¥7.84087500-9999¥7.7827≥10000¥7.7537
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品类: TVS二极管描述: 二极管模块, 2.2 kV, 700 A, 1.36 V, 双路串联68911-9¥3136.881010-24¥3108.363925-49¥3094.105450-99¥3079.8468100-149¥3065.5883150-249¥3051.3297250-499¥3037.0712≥500¥3022.8126
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品类: 双极性晶体管描述: UA PNP 300V 1A61861-9¥4130.973010-24¥4093.418725-49¥4074.641650-99¥4055.8644100-149¥4037.0873150-249¥4018.3101250-499¥3999.5330≥500¥3980.7558
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品类: 双极性晶体管描述: PNP达林顿大功率硅晶体管 PNP DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR87901-9¥10773.213010-24¥10675.274725-49¥10626.305650-99¥10577.3364100-149¥10528.3673150-249¥10479.3981250-499¥10430.4290≥500¥10381.4598
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品类: 双极性晶体管描述: TO-66 NPN 300V 1A42971-9¥2740.628010-24¥2715.713225-49¥2703.255850-99¥2690.7984100-149¥2678.3410150-249¥2665.8836250-499¥2653.4262≥500¥2640.9688
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品类: 双极性晶体管描述: NPN 250V 1A543820-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: 齐纳二极管描述: 硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES59731-9¥96.278010-99¥92.0920100-249¥91.3385250-499¥90.7525500-999¥89.83161000-2499¥89.41302500-4999¥88.8269≥5000¥88.3246
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品类: 齐纳二极管描述: 玻璃表面贴装0.5瓦齐纳二极管 GLASS SURFACE MOUNT 0.5 WATT ZENERS10141-9¥96.278010-99¥92.0920100-249¥91.3385250-499¥90.7525500-999¥89.83161000-2499¥89.41302500-4999¥88.8269≥5000¥88.3246
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品类: 齐纳二极管描述: 1瓦的金属外壳稳压二极管 1 WATT METAL CASE ZENER DIODES12441-9¥144.589510-49¥140.817650-99¥137.9258100-199¥136.9200200-499¥136.1656500-999¥135.15981000-1999¥134.5311≥2000¥133.9025